صفحه محصول - پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی )BJT)

دانلود پاورپوینت با موضوع ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی )BJT) دارای 29 اسلاید و با فرمت .ppt و قابل ویرایش و آماده برای ارائه ، چاپ ، تحقیق و کنفرانس می باشد.

تعداد اسلاید : 29 اسلاید
فرمت فایل: پاورپوینت .ppt و قابل ویرایش
آماده برای : ارائه ، چاپ ، تحقیق و کنفرانس

قسمتی از متن نمونه:

*زمانی ترانزیستور در ناحیه خطی یا فعال کار می کند که دیود بیس امیتر روشن و دیود بیس کلکتور قطع باشد

مقداری از جریان حفره ای که بوسیله الکترون های بیس جذب می شودIx
مقداری از جریان حفره ای که از بیس عبور می کندIPC
جریان الکترونی بیس که برای ترکیب با حفره های            ، به       می آیند Inco

BC جریان حامل های اقلیت دیود خاموش Ipco   *
که در حقیقت تامین کننده جریان حفره ای است بنابراین VBE توسطIC جریان IC≈ IE ازآنجا که
می توان از رابطه زیر استفاده کرد: IC    برای محاسبه

و در نتیجه افزایش قدرت پرتاب گری می شود C و B   تنها منجر به افزایش عرض ناحیه تخلیه بین VCB افزایش
افزایش می دهدμA در حد ICO تاثیری ندارد و تنها IPC      اما روی جریان
مساله : DCتحلیل   گام های
حدس اولیه ناحیه کار ترانزیستور